MOT1115T
N沟道MOSFET,100V、1.2mΩ、399A
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- 描述
- 特性:使用MOT先进的双沟槽技术。 低导通电阻 (RDS(on) ≤ 1.4mΩ)。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。应用:电池管理。 电机控制和驱动
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT1115T
- 商品编号
- C42375297
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 399A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 455W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 161nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.574nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 196pF@50V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
优惠活动
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