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AO4406A
N沟道MOSFET
- 描述
- 特性：先进的高单元密度沟槽技术。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应衰减。 提供环保型产品。应用：笔记本电脑、上网本、UMPC、VGA的高频负载点同步降压转换器。 网络直流-直流电源系统
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- AO4406A
- 商品编号
- C42375083
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 提供环保型器件
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器
- 网络DC-DC电源系统
- 负载开关
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