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2N7002KM
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.34A
- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 ESD防护高达2KV（HBM）。应用：便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- 2N7002KM
- 商品编号
- C42375085
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 低阈值电压
- 快速开关速度
- 无卤无铅
- 静电放电(ESD)防护高达2KV(人体模型HBM)
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 电压控制小信号开关
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