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RC65D160C
RC65D160C
- 描述
- 氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：12.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.4nC
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC65D160C
- 商品编号
- C42372454
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ |
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