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RC65D600C
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- 描述
- 氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：600mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:8nC
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC65D600C
- 商品编号
- C42372455
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 331pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ |
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