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SP60N01BGHTD
大电流SGT MOSFET
- 描述
- 大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：220A,Rdson：1.7mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP60N01BGHTD
- 商品编号
- C42372364
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.0995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 213W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.397nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.885nF |
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用-DC-DC转换器-电源管理