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C3222PM4CDGUIW-U
低功耗DRAM，支持部分阵列自刷新、自动温度补偿自刷新，采用双数据速率架构
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- 描述
- C3222PM4CDGUIW-U
- 品牌名称
- Kingston(金士顿)
- 商品型号
- C3222PM4CDGUIW-U
- 商品编号
- C42222391
- 商品封装
- FBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.86GHz | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品概述
芯片密度：16Gbits 组织形式：
- x 32位：64M字 x 32位 x 8个存储体
- 一个封装内有2片16Gb（x32）（适用于32Gb情况）
- 行地址：R0 ~ R15
- 列地址：C0 ~ C9 封装形式：200球FBGA 电源：
- VDD1 = 1.8V（1.7V至1.95V）
- VDD2和VDDQ = 1.1V（1.06V至1.17V） 数据速率：
- 最大3733Mbps，向后兼容 每个通道有8个内部存储体用于并发操作
- 突发长度（BL）：16、32和动态调整
- 动态调整模式由MRS启用
- 可编程的读取延迟（RL）和写入延迟（WL）
- 预充电：每次突发访问可选择自动预充电 可编程驱动强度 刷新模式：自动刷新、自刷新 刷新周期：8192周期/32ms - 平均刷新周期：3.9μs 工作温度范围：
- TC = -25°C至 +85°C（标准）
- TC = -40°C至 +95°C（工业温度）
商品特性
- 低功耗
- 按存储体刷新
- 部分阵列自刷新（PASR）、存储体屏蔽、段屏蔽
- 通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新（ATCSR）
- 支持所有存储体自动刷新和按指定存储体自动刷新
- 双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
- 差分时钟输入（CK_t和CK_c）
- 双向差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
- 在CK_t的上升沿和下降沿均可输入命令；数据和数据掩码参考DQS_t的两个边沿
- 支持DMI引脚用于写数据屏蔽和DBIdc功能