嘉立创上市
购物车0
C3222PM4CDGUIW-U引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

C3222PM4CDGUIW-U

低功耗DRAM,支持部分阵列自刷新、自动温度补偿自刷新,采用双数据速率架构

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
C3222PM4CDGUIW-U 建议使用前先进行烘烤
商品型号
C3222PM4CDGUIW-U
商品编号
C42222391
商品封装
FBGA-200(10x14.5)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR4 SDRAM
时钟频率(fc)1.86GHz
存储容量32Gbit
工作电压1.7V~1.95V;1.06V~1.17V
属性参数值
工作电流-
刷新电流-
工作温度-40℃~+95℃
功能特性自动自刷新;内置温度传感器;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能

商品概述

C3222PM4CDGUIW-U是低功耗DRAMLPDDR4。1024M×32位。裸片密度16Gbit。电源:VDD1=1.8V,范围1.7V至1.95V;VDD2和VDDQ=1.1V,范围1.06V至1.17V。数据速率:最高3733Mbps,向后兼容。每个通道八个内部bank,支持并发操作。突发长度BL:16、32和即时;即时模式由MRS启用。可编程RL和WL。预充电:每个突发访问自动预充电选项。可编程驱动强度。刷新:自动刷新、自刷新。刷新周期:8192周期/32ms,平均刷新周期3.9μs。工作温度范围:TC=-25℃至+85℃(标准),TC=-40℃至+95℃(工业温度)。

商品特性

  • 低功耗
  • 按存储体刷新
  • 部分阵列自刷新(PASR)、存储体屏蔽、段屏蔽
  • 通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新(ATCSR)
  • 支持所有存储体自动刷新和按指定存储体自动刷新
  • 双倍数据速率架构;每个时钟周期进行两次数据传输
  • 差分时钟输入(CK_t和CK_c)
  • 双向差分数据选通(DQS_t和DQS_c)
  • 在CK_t的上升沿和下降沿均可输入命令;数据和数据掩码参考DQS_t的两个边沿
  • 支持DMI引脚用于写数据屏蔽和DBIdc功能

应用领域

  • 适用于典型通用电子设备

数据手册PDF

放大查看下载PDF