C3222PM4CDGUIW-U
低功耗DRAM,支持部分阵列自刷新、自动温度补偿自刷新,采用双数据速率架构
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- 描述
- C3222PM4CDGUIW-U 建议使用前先进行烘烤
- 品牌名称
- Kingston(金士顿)
- 商品型号
- C3222PM4CDGUIW-U
- 商品编号
- C42222391
- 商品封装
- FBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.86GHz | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V;1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新;内置温度传感器;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能 |
商品概述
C3222PM4CDGUIW-U是低功耗DRAMLPDDR4。1024M×32位。裸片密度16Gbit。电源:VDD1=1.8V,范围1.7V至1.95V;VDD2和VDDQ=1.1V,范围1.06V至1.17V。数据速率:最高3733Mbps,向后兼容。每个通道八个内部bank,支持并发操作。突发长度BL:16、32和即时;即时模式由MRS启用。可编程RL和WL。预充电:每个突发访问自动预充电选项。可编程驱动强度。刷新:自动刷新、自刷新。刷新周期:8192周期/32ms,平均刷新周期3.9μs。工作温度范围:TC=-25℃至+85℃(标准),TC=-40℃至+95℃(工业温度)。
商品特性
- 低功耗
- 按存储体刷新
- 部分阵列自刷新(PASR)、存储体屏蔽、段屏蔽
- 通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新(ATCSR)
- 支持所有存储体自动刷新和按指定存储体自动刷新
- 双倍数据速率架构;每个时钟周期进行两次数据传输
- 差分时钟输入(CK_t和CK_c)
- 双向差分数据选通(DQS_t和DQS_c)
- 在CK_t的上升沿和下降沿均可输入命令;数据和数据掩码参考DQS_t的两个边沿
- 支持DMI引脚用于写数据屏蔽和DBIdc功能
应用领域
- 适用于典型通用电子设备


