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D1621PM4CDGUIW-U
低功耗DRAM，支持部分阵列自刷新、自动温度补偿自刷新，采用双数据速率架构
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- 描述
- 16GB 200 BALL LPDDR4 3733MHZ
- 品牌名称
- Kingston(金士顿)
- 商品型号
- D1621PM4CDGUIW-U
- 商品编号
- C42225390
- 商品封装
- FBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.86GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品概述
低功耗DRAM (LPDDR4 FBGA) 芯片密度：16Gbits 组织架构：
- x 32位：64M字 x 32位 x 8个存储体
- 一个封装中包含2个16Gb (x32)芯片（适用于32Gb情况） 行地址：R0 ~ R15 列地址：C0 ~ C9 封装：200球FBGA 电源供应：
- VDD1 = 1.8V (1.7V到1.95V)
- VDD2和VDDQ = 1.1V (1.06V到1.17V) 数据速率：
- 最大4266Mbps。向后兼容3733、3200、2666、2400及更低速度。 每个通道有8个内部存储体用于并发操作 突发长度 (BL)：16、32和动态调整
- 动态调整模式通过MRS启用
- 可编程读取延迟 (RL)和写入延迟 (WL)
- 预充电：每次突发访问可选择自动预充电 可编程驱动强度 刷新：自动刷新、自刷新 刷新周期：8192周期/32ms 平均刷新周期：3.9μs 工作温度范围：
- TC = -25°C到+85°C（标准）
- TC = -40°C到+95°C（工业温度）
商品特性
- 低功耗
- 每个存储体刷新
- 部分阵列自刷新 (PASR) - 存储体屏蔽
- 分段屏蔽
- 通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新 (ATCSR)
- 支持所有存储体自动刷新和按存储体定向自动刷新
- 双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
- 差分时钟输入 (CK_t和CK_c)
- 双向差分数据选通 (DQS_t和DQS_c)
- 在CK_t的上升沿和下降沿都可输入命令；数据和数据掩码参考DQS_t的两个边沿
- DMI引脚支持写数据屏蔽和DBIdc功能