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TSP12N60M
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSP12N60M
- 商品编号
- C439879
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通损耗最小化
- 小尺寸、散热高效的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积，可实现更小尺寸的终端产品
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器
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