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TSF10N80M
1个N沟道 耐压:800V 电流:10A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。该先进技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSF10N80M
- 商品编号
- C439876
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了TrueSemi先进的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 10.0A,800V,最大RDS(on)=1.10 Ω(VGS=10V时)
- 低栅极电荷(典型值45nC)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正
- TSP10N60M
- 16ZLH100MEFC5X11
- 16ZLH1500MEFCT810X20
- 250BXC100MEFC16X25
- 250BXC22MEFCT810X16
- 250BXC4.7MEFC8X11.5
- 25YXM100MEFC6.3X11
- 25ZLH2200MEFC16X20
- 25ZLH2200MEFCG412.5X30
- 25ZLH68MEFC5X11
- 25ZLJ1000M10X20
- 35YXF1000MEFC12.5X25
- 35YXG680MEFC12.5X20
- 400BXC10MEFC10X20
- 400BXC15MEFC12.5X20
- 400MXG220MEFCSN25X35
- 400YXA1MPCST16.3X11
- 450BXC10MEFCT810X16
- 450BXF33M16X20
- 450BXW120MEFR18X35
- 450BXW68MEFR18X25