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TSP10N60M

1个N沟道耐压:600V 电流:10A

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描述: 特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。低导通电阻。优越的开关性能。能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。最大电流 10.0A，电压 600V，RDS(on)=0.8Ω（VGS = 10V 时）。低栅极电荷（典型值 48nC）。高坚固性。快速开关。 100% 雪崩测试。改善的 dv/dt 能力
品牌名称: Truesemi(信安)
商品型号: TSP10N60M
商品编号: C439878
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.66克(g)

商品参数

这款功率MOSFET采用东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。