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OR-314(B)W-TA1实物图
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OR-314(B)W-TA1

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描述
由一个 GaAsP LED 与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。
品牌名称
Orient(奥伦德)
商品型号
OR-314(B)W-TA1
商品编号
C42012394
商品封装
SOP-6-6.8mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.6038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动光耦
负载类型IGBT;MOSFET
通道数1
CMTI(kV/us)25kV/us
驱动侧工作电压-500mV~35V
峰值输出电流1.5A
传播延迟 tpHL200ns
传播延迟 tpLH200ns
属性参数值
隔离电压(Vrms)5kV
耗散功率(Pd)-
工作温度-40℃~+105℃
正向压降(Vf)1.55V
直流反向耐压(Vr)5V
下降时间(tf)60ns
输入侧工作电压10V~30V
上升时间(tr)70ns

商品概述

OR-314(B)由一个GaAsP LED与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

商品特性

  • 高速响应。
  • 超高共模抑制比(CMR)。
  • 可自举电源电流。
  • IOH(峰值)最小值:1.5A
  • IOL(峰值)最小值:1.5A
  • 在温度范围内最大传播延迟为0.7μs
  • 最大电源电流Icc(最大值)=3 mA
  • 在VCM = 1500V时,最小共模抑制比(CMR)为25 kV/μs
  • 宽VCC工作范围:在温度范围内为10V至30V
  • 采用拉伸型SO-6封装
  • 工业温度范围:-40℃至105℃
  • 安全认证
    • 获得UL认证(编号E323844)
    • 获得VDE认证(编号40029733)
    • 获得CQC认证(编号CQC19001231480)
  • 符合RoHS、REACH标准
  • 湿度敏感度等级1级

应用领域

  • 隔离式IGBT/功率MOSFET栅极驱动
  • 交流和无刷直流电机驱动
  • 工业逆变器
  • 家用电器逆变器
  • 开关电源
  • 电磁炉

数据手册PDF