4RCD0124KC0ATG

用于RDIMM和LRDIMM。与4DB0232配对用于LRDIMM。32位1:2命令/地址寄存器。1.2V Vdd工作电压。支持多达4个封装等级和8个逻辑等级，并原生支持3DS。高级I/O使能控制。支持全速BCOM总线以进行数据缓冲控制。自动阻抗校准。新的DDR4节能协议。命令/地址奇偶校验检查。控制寄存器RCW回读。1MHz I2C总线。

与4RCD023配对用于LRDIMM。双4位双向数据寄存器，带差分数据选通。1.2V Vdd工作电压。自动阻抗校准。BCOM奇偶校验检查。控制寄存器BCW回读。

用于UDIMM、RDIMM、LRDIMM。温度精度高达±0.5℃。512字节EEPROM用于供应商信息。1MHz I2C总线。

所有设备均符合JEDEC标准，并满足严格的可靠性和应用合规性要求。与DDR3相比，DDR4最多可节省35%的功耗。支持太字节级别的DIMM内存。通过奇偶校验和CRC改进了数据错误恢复。改进了调试和系统裕量。

凭借业内最广泛的产品组合，IDT是唯一能够为Enterprise Server内存模块提供完整的DDR4和DDR3芯片组解决方案的公司。IDT的DDR4注册时钟驱动器、数据缓冲器和温度传感器构成了业界首个针对DDR4注册双列直插式内存模块（RDIMMs）和负载减少型双列直插式内存模块（LRDIMMs）的完整芯片组。随着DDR4数据速率攀升至3.26 Gb/s及以上，RDIMM和LRDIMM作为可扩展速度的内存技术所具有的明显优势预计将推动其在各种内存密集型计算和存储应用中的采用。通过灵活的I/O控制、定时和电压校准以及控制寄存器可编程性，IDT的DDR4注册时钟驱动器（4RCD023）和数据缓冲器（4DB0232）能够在所有JEDEC定义的DDR4 LRDIMM和RDIMM拓扑上实现更高密度下的更快速率。DIMM拓扑配置和DRAM信息存储在IDT的温度传感器EEPROM（TSE2004）中。基于所有DDR代次的成功芯片组引入，IDT对其内存接口芯片组有着深刻的理解，其设备将为您的应用提供可靠的性能。

适用于需要更深内存容量、更高数据速率和最低功耗的应用，包括企业服务器、数据中心、工作站、存储设备和通信设备。

• 需要更高数据速率和最低功耗的深层内存的应用，包括企业服务器、数据中心、工作站、存储设备和通信设备。