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AIMCQ120R060M1TXTMA1
汽车用碳化硅MOSFET，采用HDSOP-22-3封装，具备低开关损耗、高开关速度和高功率密度等特性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMCQ120R060M1TXTMA1
- 商品编号
- C41859248
- 商品封装
- SOP-22
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 耗散功率(Pd) | 259W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 43pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ |
商品概述
引脚定义：
- 引脚1 - 栅极
- 引脚2 - 驱动源极
- 引脚3...11 - 电源源极
- 引脚12...22，焊盘 - 漏极
注意：驱动源极和电源源极引脚不可互换，互换可能导致故障
商品特性
- 在Tvj = -55...175°C时，V_DSS = 1200 V
- 在Tc = 25°C时，I_DDC = 44 A
- 在V_GS = 20 V、Tvj = 25°C时，R_DS(on) = 60 mΩ
- 采用新的性能优化芯片技术（Gen1p），改善了R_DS(on)*A
- 同类最佳的开关能量，可降低开关损耗并减少散热需求
- 最低的器件电容，可实现更高的开关速度和更高的功率密度
- 低C_rss/C_iss比和高V_GS(th)的组合，可避免寄生导通并支持单极栅极驱动
- 降低总栅极电荷Q_G，以降低驱动功率和损耗
- 提高推荐导通电压（V_GS(on) = 20 V），以降低R_DS(on)
- 采用.XT芯片连接技术，实现同类最佳的热性能
- 低封装杂散电感，实现更快、更干净的开关
- 驱动（开尔文）源极引脚，实现更好的栅极控制并降低开关损耗
- 爬电距离 > 4.75 mm，适用于V_rms(max) > 950 V，基于IEC60664，材料组I，污染等级2
- SMT封装，适用于自动化组装并降低系统成本
- 低R_th顶侧冷却封装，实现最佳热性能和功率密度
应用领域
- 车载充电器
- DC/DC转换器
- 辅助驱动器