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W664GG6RB-06
4G bits DDR4 SDRAM高速传输
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W664GG6RB-06
- 商品编号
- C41866572
- 商品封装
- VFBGA-96(13x7.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 2mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
该产品是一款DDR4 SDRAM存储器，采用x16配置和96球VFBGA封装。它支持高速数据传输，具备多种高级功能以优化系统性能和可靠性。器件包含简化的状态机、基本的读写操作功能，并定义了详细的复位与初始化流程。其工作模式可通过模式寄存器进行编程配置。核心功能包括突发长度与顺序控制、DLL开关程序、输入时钟频率变化适应、写入均衡调整以及多种温度控制刷新模式。此外，它还支持精细粒度刷新、多用途寄存器用于DQ训练、数据掩码、数据总线反转、ZQ校准、DQ参考电压训练、每DRAM可寻址性、命令地址延迟模式、循环冗余校验、命令地址奇偶校验、控制降速模式、可编程前导码和后导码。器件遵循标准的激活、预充电和读取操作时序定义。
商品特性
- 符合DDR4 SDRAM标准
- 采用x16数据位宽和96球VFBGA封装
- 支持可编程突发长度和突发顺序
- 集成DLL，并支持开关程序以适应不同工作模式
- 支持输入时钟频率变化
- 具备写入均衡功能，以优化信号完整性
- 提供多种温度控制刷新模式，包括常规温度模式（-40℃ ≤ TCASE ≤ 85℃）和扩展温度模式（85℃ ≤ TCASE ≤ 105℃）
- 支持精细粒度刷新模式，可调整刷新速率
- 包含多用途寄存器，用于DQ训练
- 支持数据掩码和数据总线反转功能
- 提供ZQ校准命令，用于优化输出驱动和终端电阻
- 具备DQ参考电压训练功能
- 支持每DRAM可寻址性
- 提供命令地址延迟模式
- 集成循环冗余校验功能，用于数据完整性检查
- 支持命令地址奇偶校验及错误日志读取
- 具备控制降速模式
- 提供可编程的写入和读取前导码
- 提供可编程的写入和读取后导码
- 遵循标准的激活、预充电和读取操作时序