- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTHL032N065M3S
650V、32mΩ碳化硅MOSFET
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- 描述
- 特性：典型导通电阻RDS(on) = 32 mΩ，栅源电压VGS = 18 V。 超低栅极电荷QG(tot) = 55 nC。 低电容高速开关，输出电容Coss = 114 pF。 100%雪崩测试。 该器件无卤，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅。应用：开关电源。 太阳能逆变器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHL032N065M3S
- 商品编号
- C41855817
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ |
商品特性
- 典型导通电阻 R_DS(on) = 32 mΩ @ V_GS = 18 V
- 超低栅极电荷 Q_G(tot) = 55 nC
- 低电容实现高速开关 C_oss = 114 pF
- 100% 雪崩测试
- 本器件为无卤素且符合 RoHS 豁免 7a 标准，第二级互连为无铅 2LI
应用领域
- 开关电源
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
- 储能系统
- 电动汽车充电基础设施