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NJH65R600S
1个N沟道 1个N沟道 耐压:700V 电流:8A
- 描述
- 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：PFC开关电路、双管正激或LLC谐振。
- 品牌名称
- NH(纽航)
- 商品型号
- NJH65R600S
- 商品编号
- C41784101
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF@25V；470pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | -；- | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24.3pF |
商品概述
MPT08N10是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
商品特性
- VDS = 100 V，VGS = 10 V、ID = 80 A时，Rds(on) < 8 mΩ（典型值：7.5 mΩ）
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 同步整流
- 高速开关应用