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NJH65R600S
1个N沟道 1个N沟道 耐压:700V 电流:8A
- 描述
- 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：PFC开关电路、双管正激或LLC谐振。
- 品牌名称
- NH(纽航)
- 商品型号
- NJH65R600S
- 商品编号
- C41784101
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF；470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | -；- | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24.3pF |
商品概述
MPT08N10是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON),实现高效率
- 低栅极电荷,实现高速开关
- 高单脉冲雪崩能量EAS,可靠性高
- 100%进行非钳位感性负载开关UIS和栅极电阻RG测试
应用领域
- 交流/直流转换器
- 适配器和充电器
- LED驱动器
- 高频电路和开关电源