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NPS18N50F
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
- 描述
- 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：PFC开关电路、双管正激或LLC谐振。
- 品牌名称
- NH(纽航)
- 商品型号
- NPS18N50F
- 商品编号
- C41784110
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.807克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@250V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
硅N沟道增强型MOSFET采用先进的MOSFET技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- VDS = 500 V，VGS = 10 V、ID = 20 A时，Rdson < 280 mΩ（典型值：230 mΩ）
- 快速开关
- 低Crss（典型值18 pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源