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PJM09P20SC
1个P沟道 耐压:20V 电流:9A
- 描述
- P沟道，VDS=-20V ID=-9A ,PD:1.3W RDS(ON)<25mΩ@Vgs=-4.5V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM09P20SC
- 商品编号
- C41784032
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0282克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 153pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 261 A，栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 2.5 mΩ
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐用性
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源