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PJM2312NSC
N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- N沟道，VDS=20V ID=5A ,PD:1.25W RDS(ON)<2.8mΩ@Vgs=4.5V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM2312NSC
- 商品编号
- C41784034
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0282克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MPF20N65是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
-先进沟槽技术-符合RoHS和REACH标准-无卤素和锑-湿度敏感度等级3
应用领域
-负载开关-PWM应用
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