SI82F29ABE-IS3
SI82F29ABE-IS3
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- 商品型号
- SI82F29ABE-IS3
- 商品编号
- C41703885
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 米勒钳位保护;死区时间控制 |
商品概述
Si82Fx 将两个隔离栅极驱动器集成于单个封装内,适用于高功率应用。该系列器件提供单路或双路控制输入,并具备独立或高侧/低侧输出配置。驱动器可在 3 V 至 20 V 的输入电源和最高 30 V 的栅极驱动电源电压下工作。其输入采用 CMOS 技术,提供了强大的噪声容限。该驱动器非常适合用于驱动各类开关电源和电机控制应用中的功率硅 MOSFET、IGBT、SiC FET 和 GaN FET。这些驱动器采用专有的硅隔离技术,支持高达 6 kVrms(持续 1 分钟)的隔离电压。该技术实现了高共模瞬态抗扰度(200 kV/μs)、更低的传播延迟和偏移、随温度与时间变化小以及器件间匹配紧密等优势。与光耦栅极驱动器相比,Si82Fx 系列具有更长的使用寿命和更高的可靠性。输出级采用可调变电流驱动技术,可在八个可选的电流水平之间调整输出电流,从而省去栅极电阻并钳制任何米勒效应电流。该技术作为电流源工作,可在所有工作条件下将输出电流维持在目标值的严格容差范围内。该驱动器系列还提供欠压锁定、死区时间可编程性以及在所有工作条件下定义明确的输出状态等功能。提供汽车级产品,其在制造过程的所有环节均采用汽车专用流程,以确保满足汽车应用所需的鲁棒性和低缺陷率。
商品特性
- 3 V 至 20 V 的宽输入范围
- 5 V 至 30 V 的宽栅极驱动电源电压
- CMOS 输入,可选去毛刺滤波器
- 通道间偏移 < 5 ns
- 死区时间控制与重叠保护
- 通用及高侧/低侧引脚配置
- 可调变电流驱动技术
- 集成米勒钳位
- 高精度电流源输出
- CMTI > 200 kV/μs
- 1500 Vrms 工作电压
- 优化的欠压锁定阈值:4 V、8 V、12 V 或 15 V
- 4 kV HBM ESD 等级
- 无未知输出状态
- 增强的通道间爬电距离
- 6 kVrms 安全额定隔离
- 10 kV 双极性浪涌
- 宽工作温度范围:–40 至 125 °C
- 窄体 16 引脚 SOIC 和宽体 14 引脚 SOIC 封装
- AEC-Q100 认证
- 提供汽车级订购零件编号
应用领域
- 隔离式开关电源
- 电机驱动
- 功率逆变器
- 不间断电源
- 车载充电器

