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SCT020HU120G3AG
汽车级1200V碳化硅功率MOSFET
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- 描述
- 这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻RDS(on)，同时具备低电容和非常高的开关操作性能，可提高应用在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT020HU120G3AG
- 商品编号
- C41638004
- 商品封装
- HU3PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 555W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.465nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ |