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TSY-83LN+
TSY-83LN+
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- 描述
- TSY-83LN+是基于GaAs pHEMT的宽带、具备旁路模式的低噪声MMIC放大器，具有高IP3和扁平增益。工作频率为0.4至8 GHz，该放大器具有高动态范围，噪声系数为1.5 dB，增益为22 dB，P1dB为+22.9 dBm，OIP3为+33.6 dBm。这些特性使其适用于敏感的高动态范围接收器应用，在高功率RF信号存在时可能需要快速绕过增益级。TSY-83LN+在单+5 V或+6 V电源下工作，与50Ω良好匹配，并采用3x3 mm QFN风格的小尺寸、薄型封装，便于集成到密集电路板布局中。
- 品牌名称
- Mini-Circuits
- 商品型号
- TSY-83LN+
- 商品编号
- C41589317
- 商品封装
- QFN-12(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
TSY - 83LN+是基于GaAs pHEMT的宽带、具备旁路模式的低噪声MMIC放大器，具有高IP3和扁平增益。工作频率为0.4至8 GHz，该放大器具有高动态范围，噪声系数为1.5 dB，增益为22 dB，P1dB为+22.9 dBm，OIP3为+33.6 dBm。这些特性使其适用于敏感的高动态范围接收器应用，在高功率RF信号存在时可能需要快速绕过增益级。TSY - 83LN+在单+5 V或+6 V电源下工作，与50Ω良好匹配，并采用3x3 mm QFN风格的小尺寸、薄型封装，便于集成到密集电路板布局中。
商品特性
- 旁路模式功能：允许用户在保持电源电压恒定的同时快速切换到低损耗旁路路径，以降低增益并在高功率RF信号存在时保护系统。
- 低噪声系数：典型值为2 GHz时1.5 dB，在放大模式下提供极小的信噪比劣化。
- 高OIP3：典型值为2 GHz时+33.6 dBm，低噪声系数和高IP3的组合使其适用于对高动态范围至关重要的敏感低噪声接收器前端。
- 宽带宽与扁平增益：在0.4至6 GHz范围内±0.6 dB，使单个放大器可用于多个应用。
- 3x3 mm 12引脚QFN风格封装：小尺寸节省密集布局空间，提供低电感、可重复的过渡以及与PCB的良好热接触，行业标准封装便于大批量制造过程中的组装。
应用领域
- 5G Sub6，MIMO无线基础设施系统
- 测试与测量设备