温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

JFE2140DSGR

超低噪声、匹配低栅电流双离散音频N通道JFET

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 构建于现代高性能模拟双极工艺，在所有电流范围内均提供出色的噪声性能，静态电流可由用户设置，范围为50μA至20mA。当偏置电流为5mA时，该器件会产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗(>1TΩ)提供超低噪声性能。此外，按照+6mV测试JFET之间的匹配，可为差分对配置提供低失调电压和高CMRR性能。还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。可承受40V的高漏源电压，以及低至-40V的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为-40℃至 + 125℃。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: JFE2140DSGR
商品编号: C41589609
商品封装: WSON-8-EP(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.25克(g)

商品参数

商品概述

JFE2140 是使用德州仪器 (TI) 现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 音频匹配对分立式 N 通道 JFET。JFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能，静态电流可由用户设置，范围为 50 μA 至 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时，该器件会产生 0.9 nV/√Hz 的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ)提供超低噪声性能。此外，按照 ±4mV 测试 JFET 之间的匹配，可为差分对配置提供低失调电压和高CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压，以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40 ℃ 至 +125 ℃。

商品特性

超低噪声，电压噪声:1 kHz 时为 0.9 nV/√Hz，IDS = 5 mA；1 kHz 时为 1.1 nV/√Hz，IDS = 2 mA；电流噪声 1 kHz 时为 1.6 fA/√Hz
低 VGS 失配:4mV（最大值）
低栅极电流:10 pA（最大值）
低输入电容:VDS = 5 V 时为 13 pF
高栅漏电压和栅源击穿电压:-40V
高跨导:30 mS
提供SOIC、2mm x 2mm WSON封装

应用领域

麦克风输入
水听器和船用设备
DJ 控制器、混频器和其他 DJ 设备
专业音频混合器或控制平面
吉他放大器和其他乐器放大器
状态监控传感器

	属性	参数值
	商品目录	结型场效应管(JFET)
	数量	2个N沟道
	栅源截止电压(VGS(off))	1.15V
	栅源击穿电压(Vgss)	40V
	漏源电流(Idss)	18mA

	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	13pF
	工作温度	-40℃~+125℃
	配置	独立式
	输出电容(Coss)	4.5pF
	FET类型	N沟道