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JFE2140DSGR
超低噪声、匹配低栅电流双离散音频N通道JFET
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- 描述
- 构建于现代高性能模拟双极工艺，在所有电流范围内均提供出色的噪声性能，静态电流可由用户设置，范围为50μA至20mA。当偏置电流为5mA时，该器件会产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗(>1TΩ)提供超低噪声性能。此外，按照+6mV测试JFET之间的匹配，可为差分对配置提供低失调电压和高CMRR性能。还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。可承受40V的高漏源电压，以及低至-40V的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为-40℃至 + 125℃。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- JFE2140DSGR
- 商品编号
- C41589609
- 商品封装
- WSON-8-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1.15V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 漏源电流(Idss) | 18mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 输出电容(Coss) | 4.5pF | |
| FET类型 | N沟道 |