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D5116AN9CXGXNY-U
8G位DDR4 SDRAM，采用双数据速率架构，支持多种功能
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- 描述
- 96-Ball 512Mx16
- 品牌名称
- Kingston(金士顿)
- 商品型号
- D5116AN9CXGXNY-U
- 商品编号
- C41507231
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 38mA | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
容量：8G比特 组织架构：
- 64M字×8比特×16个存储体
- 64M字×16比特×8个存储体 封装：
- 78球FBGA
- 96球FBGA
- 无铅
- 无卤素 电源（JEDEC标准1.2V）：
- VDD = 1.2V ± 0.06V
- VDDQ = 1.2V ± 0.06V
- VPP = 2.5V +0.25V / -0.125V 数据速率：
- 最大3200Mbps，向后兼容2666、2400、2133及更低速度 内部存储体：16个或8个
- x8产品为16个存储体（4个存储体×4个存储体组）
- x16产品为8个存储体（4个存储体×2个存储体组） 接口：伪开漏（POD） 突发长度（BL）：8和4，支持突发分割（BC） 列地址选通潜伏期（CL）： 10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、24 带读DBI的列地址选通潜伏期（CL）： 12、13、14、15、16、18、19、20、21、22、23、25、26、28 列地址选通写潜伏期（CWL）：9、10、11、12、14、16、18、20 预充电：每次突发访问支持自动预充电选项 刷新：支持自动刷新、自刷新 刷新周期： 平均刷新周期：
- 在 -40°C ≤ TC ≤ +85°C时为7.8μs
- 在 +85°C < TC ≤ +95°C时为3.9μs
- 在 +95°C < TC ≤ +105°C时为1.95μs 工作外壳温度范围：
- 0°C至 +95°C（商用温度）
- -40°C至 +95°C（工业温度）
- -40°C至 +105°C（汽车温度）
商品特性
- 双倍数据速率架构：每个时钟周期进行两次数据传输。
- 通过8比特预取流水线架构实现高速数据传输。
- 双向差分数据选通信号（DQS和/DQS）与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据。
- 读操作时DQS与数据边缘对齐；写操作时DQS与数据中心对齐。
- 差分时钟输入（CK_t和CK_c）。
- DLL使DQ和DQS转换与CK转换对齐。
- 数据掩码（DM）在数据选通信号的上升沿和下降沿写入数据。
- 支持写周期冗余校验码（CRC）。
- 支持可编程的读写前导码。
- 支持可编程突发长度4/8，具有半字节顺序和交错模式。
- 支持动态突发长度切换。
- 驱动强度由MRS选择。
- 支持动态片上终端。
- 两个终端状态（如RTT PARK和RTT_NOM）可通过ODT引脚切换。
- 支持异步复位引脚。
- 支持ZQ校准。
- 支持写电平调整。
- 本产品符合RoHS指令。
- 可提供内部Vref DQ电平生成。
- 支持TCAR（温度控制自动刷新）模式。
- 支持LP ASR（低功耗自动自刷新）模式。
- 支持命令地址（CA）奇偶校验（命令/地址）模式。
- 支持每个DRAM可寻址性（PDA）。
- 支持精细粒度刷新。
- 支持降速模式（1/2速率、1/4速率）。
- 支持自刷新中止。
- 支持最大节能模式。
- 应用了存储体分组，同一或不同存储体组访问时的CAS到CAS潜伏期（tCCD_L，tCCD_S）可用。
- DMI引脚支持写数据掩码和DBIdc功能。