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DA112S1RL

ESD 峰值浪涌电流：12A@8/20us

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描述: 二极管阵列
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: DA112S1RL
商品编号: C435883
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.232克(g)

商品参数

商品概述

由2个二极管为一组构成的8个或12个二极管阵列，每组二极管通过钳位作用保护信号线免受瞬态过电压影响。由于每个二极管的最大电压为18 V，两个I/O之间的最大输入电压范围为0 V至18 V（REF1 = 0 V且REF2 = +18 V）或 -9 V至 +9 V（REF1 = -9 V且REF2 = +9 V）

商品特性

8个或12个二极管阵列
低输入电容
适用于数字线路保护
符合IEC 61000 - 4 - 2 4级标准：15kV（空气放电），8kV（接触放电）

应用领域

综合业务数字网S接口逻辑侧保护
微控制器I/O线保护
信号调理

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	12V
	钳位电压	-
	峰值脉冲电流(Ipp)	12A@8/20us
	击穿电压	-

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	2uA
	通道数	六路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD