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DO5N06AA
N沟道MOSFET
- 描述
- N管/60V/5.5A/45mΩ(典型35mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO5N06AA
- 商品编号
- C41430597
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.57V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.027nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60 V，漏极电流（ID） = -3.5 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 100 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好