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DOD4184
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- N管/40V/60A/6.5mΩ(典型5.6mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD4184
- 商品编号
- C41430588
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 188pF |
商品概述
这款 N 型金属氧化物半导体场效应晶体管采用了先进的沟槽技术及设计，具有出色的导通状态下的漏源电阻（RDS(on)），且门极电荷量低。它可适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏极-源极电压（VDS）：40 伏，漏极电流（ID）：60 安培。当栅极-源极电压（VGS）为 10 伏时，导通状态下的漏极-源极电阻（RDS(ON)）小于 6.5 毫欧。
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 利用先进的高单元密度沟槽技术，实现了极低的导通状态下的漏极-源极电阻（RDS(ON)）。
- 封装具有出色的散热性能。