温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFR3518
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
- 描述
- SGT工艺/N管/100V/25A/25mΩ(典型20mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- IRFR3518
- 商品编号
- C41430586
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 371pF |
商品概述
BLP038N15是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和大电流应用。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（RDS(on) ≤ 3.8 mΩ）
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 电机驱动器
- 大电流应用