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DOD25N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:25A
- 描述
- N管/30V/25A/20mΩ(典型15mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD25N03
- 商品编号
- C41430585
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 489pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
OSM45N10是一款100V N沟道MOS器件，在栅源电压为10V时，导通阻抗可达14 mΩ，持续电流为45A。 OSM45N10具有低栅极电荷、低栅极电压和高电流导通能力，适用于负载开关、PWM控制等应用场景。 OSM45N10采用TO - 252封装。
商品特性
- 漏源电压（VDS）= 100V，漏极电流（ID）= 45A
- 栅源电压（VGS）= 10V时，静态导通电阻（RSS(on)）典型值 = 14 mΩ
- 超低导通电阻（RDS(ON)）
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- TO - 252封装
应用领域
- 电信、工业自动化领域的电源管理
- 电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动
- DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换