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1EDI3035AS
单通道隔离式SiC-MOSFET驱动器
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- 描述
- 是高电压电流隔离式SiC-MOSFET驱动器，专为高电压汽车应用而设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，可在低电压和高电压域之间提供8kV的电流隔离。该IC支持高达1200V的SiC-MOSFET，非常适合驱动IGBT + SiC HybridPACK Drive G2 Fusion模块。该器件具有强大的输出级，峰值电流高达20A，是高功率开关所必需的。分离输出级（TON、TOFF）由于采用独立的栅极电阻，可实现不同的导通和关断转换速率。低电压域（初级侧）支持5V和3.3V的逻辑电平
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 1EDI3035AS
- 商品编号
- C41430551
- 商品封装
- DSO-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 20A | |
| 灌电流(IOL) | 20A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 上升时间(tr) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 5.5mA | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 13.5V~20V | |
| 功能特性 | - |