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1EDI3035AS

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描述
是高电压电流隔离式SiC-MOSFET驱动器,专为高电压汽车应用而设计。该器件基于无芯变压器(CT)技术,可在低电压和高电压域之间提供8kV的电流隔离。该IC支持高达1200V的SiC-MOSFET,非常适合驱动IGBT + SiC HybridPACK Drive G2 Fusion模块。该器件具有强大的输出级,峰值电流高达20A,是高功率开关所必需的。分离输出级(TON、TOFF)由于采用独立的栅极电阻,可实现不同的导通和关断转换速率。低电压域(初级侧)支持5V和3.3V的逻辑电平
商品型号
1EDI3035AS
商品编号
C41430551
商品封装
DSO-20​
包装方式
编带
商品毛重
0.733克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
隔离电压(Vrms)8000
负载类型MOSFET
通道数1
属性参数值
输入侧工作电压3V~5.5V
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压13.5V~20V

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