74AUP1G17GMH
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 缓冲器/驱动器/收发器 | |
| 输入类型 | 施密特触发器 | |
| 输出类型 | - | |
| 工作电压 | 0.8V~3.6V | |
| 元件数 | 1 | |
| 每个元件位数 | 1 | |
| 通道类型 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | 4mA | |
| 拉电流(IOH) | 4mA | |
| 系列 | 74AUP | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 900nA | |
| 传播延迟(tpd) | 3.3ns@3.3V,10pF | |
| 功能特性 | 掉电隔离 |
商品概述
74AUP1G17是一款高性能、低功耗、低电压的硅栅CMOS器件,优于大多数先进的CMOS兼容TTL系列。该器件可确保在整个0.8 V至3.6 V的VCC电压范围内实现极低的静态和动态功耗。该器件使用IOFF功能,可完全适用于部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出,防止器件在掉电时通过其产生破坏性的回流电流。74AUP1G17提供单施密特触发器缓冲器,能够将缓慢变化的输入信号转换为定义清晰、无抖动的输出信号。输入信号在正信号和负信号时的切换点不同。正电压VT+和负电压VT-之间的差值定义为输入滞后电压VH。
商品特性
- 宽电源电压范围:0.8 V至3.6 V
- 高抗噪能力
- 符合JEDEC标准:
- JESD8 - 12(0.8 V至1.3 V)
- JESD8 - 11(0.9 V至1.65 V)
- JESD8 - 7(1.2 V至1.95 V)
- JESD8 - 5(1.8 V至2.7 V)
- JESD8 - B(2.7 V至3.6 V)
- ESD保护:
- HBM JESD22 - A114 - C 3A类,超过5000 V
- MM JESD22 - A115 - A超过200 V
- CDM JESD22 - C101 - C超过1000 V
- 低静态功耗;ICC = 0.9 μA(最大值)
- 闩锁性能超过100 mA(符合JESD 78 II类标准)
- 输入可承受高达3.6 V的电压
- 低噪声过冲和下冲 < 10%的VCC
- IOFF电路提供部分掉电模式操作
- 多种封装选项
- 工作温度范围为 -40°C至 +85°C和 -40°C至 +125°C
- 74LVC07AD-Q100118
- 74LVTN16244BDGG118
- 74AXP1G125GN125
- 74LVC1G125GF/S505125
- 74LVC162373ADGG112
- 74HC240PW/C1118
- 74HCT2G34GW-Q100125
- PCAL6416AER118
- 74CBTLV16211DGG112
- 5962-9758501QRA
- 74LVC16245AX4PV
- MM54HC367J/883
- SNJ54LS540J
- CSM33034DW
- TSS721D
- SNJ54LVC373AFK
- CD54ACT623F3A
- SN74LVTH245ADB
- HPC46003V20/63SN-NS
- 54F573/BSA
- NC7WZ16P6

