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2SK3019-ES
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
- 描述
- 2SK3019 - ES 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、功率开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- 2SK3019-ES
- 商品编号
- C41409350
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
035N10采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高效快速开关应用。 100V、典型值2.9mΩ、180A的N沟道MOSFET
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理