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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HX33151-P

双路 1.5A 峰值低端 MOSFET 驱动器

描述
HX33151-P是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,提供高效的电力使用和高可靠性。
商品型号
HX33151-P
商品编号
C41399179
商品封装
DIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.8444克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET
驱动通道数2
工作电压4.5V~18V
上升时间(tr)18ns
属性参数值
下降时间(tf)15ns
工作温度0℃~+70℃
输入高电平(VIH)2.4V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)400uA

商品概述

HX33151-S/HX33151-P 系列双低侧 MOSFET 驱动器采用 BiCMOS/DMOS 工艺制造,具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器将来自 TTL 或 CMOS 的输入逻辑电平转换为输出电压电平,输出电压可在正电源或地的 25 mV 范围内摆动。这与只能在电源的 1V 范围内摆动的双极型器件形成对比。HX33151-S/HX33151-P 驱动器有三种配置:双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在替代 HX33151-S/HX33151-P,具有更优的电气性能和耐用性。 HX33151-S/HX33151-P 驱动器非常耐用,能够承受高达 500 mA 的反向电流(任一极性)而不会闩锁,并且接地引脚能够承受高达 5V 的噪声尖峰(任一极性)。这些驱动器主要用于驱动功率 MOSFET,但也适用于驱动其他需要低阻抗、高峰值电流和快速开关时间的负载。其他潜在应用包括驱动重载时钟线、同轴电缆或压电换能器。需要注意的是,驱动器的总功耗不得超过封装的限制。适用于高功率和窄脉冲应用。

商品特性

  • 峰值输出电流 1.5A
  • 抗闩锁保护,可承受 >500 mA 反向电流
  • 工作范围 4.5V 至 18V
  • 25 ns 内可切换 1000 pF 负载
  • 低静态电源电流
    • 逻辑 1 输入时为 4 mA
    • 逻辑 0 输入时为 400 μA
  • 上升和下降时间匹配
  • 输出阻抗 7Ω
  • 典型延迟 <40 ns
  • 逻辑输入保护至 –5V
  • 逻辑输入阈值与电源电压无关
  • 典型等效输入电容 6 pF
  • 相对于电源或地的最大输出偏移 25 mV

应用领域

  • MOSFET 驱动器
  • 压电换能器驱动器
  • 同轴电缆驱动器
  • 时钟线驱动器

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(50个/管,最小起订量 1 个)
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