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JSM2134

三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

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描述: 三相高低侧功率驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: JSM2134
商品编号: C41382481
商品封装: TSSOP-20
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1166克(g)

商品参数

商品概述

JSM2134是一款三相高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V，该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外，JSM2134的高侧与低侧均包含有欠压保护功能。

商品特性

最高工作电压为 +250V
自举工作的浮地通道
兼容3.3 / 5V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达 ±50V/ns
Vs负偏压能力达 -9V
栅极驱动电压范围8V至20V
高侧欠压锁定正向阈值7.1V
高侧欠压锁定负向阈值6.9V
低侧欠压锁定正向阈值7V
低侧欠压锁定负向阈值6.6V
防直通死区逻辑，死区时间设定200ns
开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/120ns
延迟匹配时间小于50ns
宽温度范围 -40~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A
符合RoSH标准

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	1.8A
	拉电流(IOH)	1.5A
	工作电压	8V~20V
	上升时间(tr)	30ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	30ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.5V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	230uA