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BSZ042N04NS G-VB
1个N沟道,耐压：40V，电流：40A
- 描述
- QFN8(3X3),N—Channel沟道,40V；40A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.1~2.2V
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSZ042N04NS G-VB
- 商品编号
- C41370091
- 商品封装
- QFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个5000个/圆盘
总价金额：
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