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H7N0310LM-VB
1个N沟道,耐压：30V，电流：70A
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- H7N0310LM-VB
- 商品编号
- C41370105
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- DC/DC