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SL4468A
30V/10.5A N沟道MOSFET
- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 出色的散热封装。应用：电源开关应用
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL4468A
- 商品编号
- C41369464
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V，漏极电流（ID） = -10 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 15 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好