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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFB5615PBF-JSM

1个N沟道 耐压:150V 电流:40A

描述
TO220;N—Channel沟道,150V;50A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
IRFB5615PBF-JSM
商品编号
C41361597
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
1.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
耗散功率(Pd)400W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)154nC@160V
输入电容(Ciss)2.8nF
反向传输电容(Crss)101pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)355pF

商品特性

  • 专有新型平面技术
  • RDS(ON),典型值 = 30mΩ(VGS = 10V 时)
  • 低栅极电荷,可将开关损耗降至最低
  • 快速恢复体二极管

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 用于不间断电源(UPS)的直流-交流逆变器
  • 开关电源(SMPS)和电机控制

数据手册PDF