温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK3019
N沟道,电流:100mA,耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.1A, Rdson：2000mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- 2SK3019
- 商品编号
- C41349573
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029583克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.34nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 12pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品概述
AGM30P130D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA内核电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器