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SP010N110GT1
小电流N型 MOSFET
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- 描述
- 小电流MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：3A, Rdson：110mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP010N110GT1
- 商品编号
- C41349579
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 206pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
AGM012N10LLM1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器