HIP1012ACB
HIP1012ACB
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HIP1012ACB
- 商品编号
- C3717482
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.333克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
HIP1012 是一款多功能双电源分配控制器,具备可编程限流调节和锁定关断时间功能。此外,HIP1012 可作为 +3.3V 和 5V 或 +5V 和 +12V 电源控制器运行,每种模式都有相应的欠压 (UV) 故障通知电平。 在初次上电时,HIP1012 可通过关断外部 N 沟道 MOSFET 开关将电源与负载隔离,或者直接将电源轨电压施加到负载,以实现真正的热插拔功能。无论哪种情况,HIP1012 都以软启动模式开启,保护电源轨免受突然的电流负载影响。如果任一 PWRON 引脚被拉低,HIP1012 将进入真正的热插拔模式。两个 PWRON 引脚都必须为高电平才能关断 HiP1012,从而通过外部 FET 将电源与负载隔离。 开启时,每个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电容由一个 10μA 的电流源充电。这些电容形成一个可编程的斜坡(软开启)。电荷泵为 12V 电源开关提供栅极驱动,将该栅极驱动至 17V。 负载电流流经两个外部电流检测电阻。当任一电阻两端的电压超过用户编程的过流 (OC) 电压阈值时,控制器进入电流调节状态。此时,超时电容 CTIM 开始由 10μA 电流源充电,控制器进入超时周期。超时周期的长度由从 Ctim 引脚(引脚 10)接地的单个外部电容设置,其特征是向相应的外部 N 沟道 MOSFET 提供较低的栅极驱动电压。一旦 CTM 充电至 2V,内部比较器触发,导致两个 N 沟道 MOSFET 锁定关断。
商品特性
- 适用于 +5V 和 +12V 或 +5V 和 +3.3V 的热插拔双电源分配控制
- 提供故障隔离
- 可编程电流调节电平
- 可编程超时时间
- 电荷泵允许使用 N 沟道 MOSFET
- 电源正常和过流锁定指示灯
- 具备增强的过流灵敏度
- 冗余电源开启控制
- 可调开启斜坡
- 开启期间提供保护
- 两级电流限制检测可对不同故障条件做出快速响应
- 对完全短路的响应时间小于 1μs
- 对 200% 电流过冲的响应时间为 3μs
应用领域
- 独立磁盘冗余阵列 (RAID) 系统
- 电源分配控制
- 热插拔组件
相似推荐
其他推荐
