HIP1020CK-T

HIP1020可向3.3V、5V和12V MOSFET任意组合的栅极施加线性电压斜坡。内部电荷泵可将12V偏置电压加倍或将5V偏置电压增至三倍，从而在使用更具成本效益的N沟道MOSFET时提供所需的高端驱动能力。5V/ms的斜坡速率由内部控制，是在设备插槽规定的di/dt限制内开启大多数器件的合适值。如果需要更慢的速率，可以使用可选的外部电容器来覆盖内部确定的斜坡速率。 当VCC = 12V时，电荷泵会在约4ms内将HGATE上的电压从0V升至22V。这使得标准或逻辑电平MOSFET在用作12V电源控制的高端开关时能够完全增强。LGATE上的电压从0V升至16V，从而可同时控制3.3V和/或5V MOSFET。 当VCC = 5V时，电荷泵进入三倍压模式。HGATE上的电压在约3ms内从0V升至12.5V，而LGATE升至12.0V。当没有12V偏置时，此模式非常适合控制3.3V和5V电源开关中使用的高端MOSFET开关。

• 上升时间符合设备插槽规格要求
• 无需额外组件
• 内部电荷泵驱动N沟道MOSFET
• 可驱动一个、两个或三个输出的任意组合
• 内部控制导通斜坡 - 可选电容器可选择更慢的速率
• 防止热插拔期间误开启
• 使用12V或5V偏置电压工作
• 改善设备插槽外设的尺寸、成本和复杂性 - 最少的组件数量 - 微型5引脚SOT23封装
• 可控制标准和逻辑电平MOSFET
• 与TTL和3.3V逻辑器件兼容
• 关断电流 < 1µA
• 工作电流 < 3mA

• 设备插槽外设
• 热插拔控制
• 电源分配控制