商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 浪涌保护器 | |
| 通道数 | 3 | |
| 工作电压 | 12V；5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 安装方式 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
HIP1020可向3.3V、5V和12V MOSFET任意组合的栅极施加线性电压斜坡。内部电荷泵可将12V偏置电压加倍或将5V偏置电压增至三倍，从而在使用更具成本效益的N沟道MOSFET时提供所需的高端驱动能力。5V/ms的斜坡速率由内部控制，是在设备插槽规定的di/dt限制内开启大多数器件的合适值。如果需要更慢的速率，可以使用可选的外部电容器来覆盖内部确定的斜坡速率。 当VCC = 12V时，电荷泵会在约4ms内将HGATE上的电压从0V升至22V。这使得标准或逻辑电平MOSFET在用作12V电源控制的高端开关时能够完全增强。LGATE上的电压从0V升至16V，从而可同时控制3.3V和/或5V MOSFET。 当VCC = 5V时，电荷泵进入三倍压模式。HGATE上的电压在约3ms内从0V升至12.5V，而LGATE升至12.0V。当没有12V偏置时，此模式非常适合控制3.3V和5V电源开关中使用的高端MOSFET开关。
商品特性
- 上升时间符合设备插槽规格要求
- 无需额外组件
- 内部电荷泵驱动N沟道MOSFET
- 可驱动一个、两个或三个输出的任意组合
- 内部控制导通斜坡 - 可选电容器可选择更慢的速率
- 防止热插拔期间误开启
- 使用12V或5V偏置电压工作
- 改善设备插槽外设的尺寸、成本和复杂性 - 最少的组件数量 - 微型5引脚SOT23封装
- 可控制标准和逻辑电平MOSFET
- 与TTL和3.3V逻辑器件兼容
- 关断电流 < 1µA
- 工作电流 < 3mA
应用领域
- 设备插槽外设
- 热插拔控制
- 电源分配控制
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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