温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

LTC7061EMSE#PBF

带浮地和可调死区的100V半桥驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器都可以使用不同的接地参考来驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。还具有欠压锁定、TTL/CMOS兼容输入、可调开启/关闭延迟和直通保护等功能。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: LTC7061EMSE#PBF
商品编号: C3717111
商品封装: MSOP-12-EP
包装方式: 管装
商品毛重: 0.161352克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	20ns
	传播延迟 tpHL	20ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)；过压保护(OVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.75V
	输入低电平(VIL)	500mV
	静态电流(Iq)	300uA

商品概述

LTC7061采用半桥配置驱动两个N沟道MOSFET，电源电压最高可达100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET。其他特性包括欠压锁定（UVLO）、TTL/CMOS兼容输入、可调节的导通/关断延迟和直通保护。

商品特性

独特的对称浮动栅极驱动器架构
高抗噪性，可承受±101V的接地电位差
最大输入电压100V，与IC电源电压VCC无关
工作电压范围为5V至14V
栅极驱动器电压范围为4V至14V
0.8Ω下拉、1.5Ω上拉，实现快速导通/关断
自适应直通保护
可调节死区时间
TTL/CMOS兼容输入
VCC欠压锁定/过压锁定（UVLO/OVLO）和浮动电源欠压锁定
驱动双N沟道MOSFET
漏极开路故障指示器（VCC欠压锁定/过压锁定、栅极驱动器欠压锁定和热关断）
采用散热增强型12引脚MSOP封装
AEC-Q100汽车级认证正在进行中

应用领域

汽车和工业电源系统
电信电源系统
半桥和全桥转换器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	工作电压	5V~14V
	上升时间(tr)	18ns
	下降时间(tf)	14ns