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LTC7062EMSE#TRPBF
100V 双路高侧 MOSFET 栅极驱动器
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- 描述
- 驱动两个高压侧N沟道MOSFET，电源电压高达100V。两个驱动器可以使用不同的接地参考，具有出色的抗噪声和瞬态能力。两个驱动器对称且相互独立，允许互补或非互补开关。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET。还具备欠压锁定（UVLO）、TTL/CMOS兼容输入和故障指示等功能。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LTC7062EMSE#TRPBF
- 商品编号
- C3717113
- 商品封装
- MSOP-12-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 工作电压 | 5V~14V | |
| 上升时间(tr) | 18ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 14ns | |
| 传播延迟 tpLH | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 21ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)；过压保护(OVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 300uA |
商品概述
C7062可驱动两个高端N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。两个驱动器可采用不同的接地参考，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。两个驱动器相互对称且独立，支持互补或非互补开关操作。 其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET。其他特性包括欠压锁定（UVLO）、TTL/CMOS兼容输入和故障指示器。
商品特性
- 独特的对称浮动栅极驱动器架构
- 高抗噪能力，可承受±101的接地电位差
- 最大输入电压为100V，与IC电源电压VCC无关
- VCC工作电压范围为5V至14V
- 栅极驱动器电压范围为4V至14V
- 0.8Ω下拉、1.5Ω上拉，实现快速导通/关断
- TTL/CMOS兼容输入
- VCC欠压/过压锁定（UVLO/OVLO）和浮动电源欠压锁定（UVLO）
- 驱动双N沟道MOSFET
- 漏极开路故障指示器（VC欠压/过压锁定、栅极驱动器欠压锁定和热关断）
- 采用热增强型12引脚MSOP封装
- 正在进行AEC-Q100汽车级认证
应用领域
- 汽车和工业电源系统
- 电信电源系统