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BLM18HB221SZ1D引脚图
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BLM18HB221SZ1D

BLM18HB221SZ1D

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品牌名称
muRata(村田)
商品型号
BLM18HB221SZ1D
商品编号
C3716907
包装方式
编带
商品毛重
0.011克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录磁珠
阻抗@频率220Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)800mΩ
属性参数值
额定电流100mA
通道数1
工作温度-55℃~+125℃

商品特性

  • BLM18H/BLM18E系列采用改进的内部电极结构,可最大限度地减少杂散电容并扩大有效频率范围。
  • BLM18H系列在1GHz频率下实现高阻抗,适用于500MHz至GHz范围的噪声抑制。HG/HD型在1GHz时的阻抗值约为A/B型的三倍,而在100MHz或更低频率下,其阻抗特性与A/B型相似。
  • HG型在宽频率范围(几MHz至几GHz)内具有有效的噪声抑制能力。用于高速信号线的HB/HD型在截止频率后提供更陡峭的滚降。用于数字接口的HK型和用于光拾取模块的HE型能有效抑制振铃,因为电阻在较低频率下尤其会增加。
  • 磁屏蔽结构可最大限度地减少串扰。
  • BLM18E系列具有低直流电阻和大额定电流,适用于驱动电路的噪声抑制。
  • 具有出色的直流特性。
  • 薄型(t=0.5mm)设计适用于数码相机、手机等小型薄型设备。

应用领域

  • 汽车应用
  • 信息娱乐系统

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