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ESD8472BMUT5G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ESD8472BMUT5G

ESD8472BMUT5G

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
ESD8472BMUT5G
商品编号
C3713270
商品封装
X3DFN​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5.3V
钳位电压20V
峰值脉冲电流(Ipp)3A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)-
属性参数值
击穿电压(VBR)7V
反向电流(Ir)10nA
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容0.2pF

商品概述

ESD8472B旨在保护需要超低电容的电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。它在电压范围内具有行业领先的电容线性度,非常适合RF应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合,使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

商品特性

  • 行业领先的电压电容线性度
  • 超低电容:0.2 pF
  • 插入损耗:0.030 dBm
  • 0201DNS封装:0.60 mm × 0.30 mm
  • 耐受电压:5.3 V
  • 低泄漏:< 1 nA
  • 低动态电阻:< 1 Ω
  • 1000次ESD IEC61000 - 4 - 2冲击,±8 kV接触/空气放电
  • 这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

应用领域

  • RF信号ESD保护
  • RF开关、功率放大器和天线ESD保护
  • 近场通信
  • USB 2.0
  • USB 3.0

数据手册PDF