MP6KE8.2AE3
MP6KE8.2AE3
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MP6KE8.2AE3
- 商品编号
- C3711305
- 商品封装
- T-18
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 7.02V | |
| 钳位电压 | 12.1V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 50A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 600W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 7.79V | |
| 反向电流(Ir) | 200uA | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS |
商品概述
MP6KE6.8A - MXLP6KE200CA系列轴向引线600瓦瞬态电压抑制器提供了5.8至171V的关断电压 (VWM) 选择,标称击穿电压为6.8至200V。这些高可靠性器件有单向和双向两种版本。提供符合RoHS标准的版本。这些器件有多种升级筛选选项,以提高可靠性。它们可以根据IEC61000 - 4 - 5标准防止雷击的二次效应,以及防止来自电感开关环境和射频辐射感应的电压脉冲。由于它们的响应时间几乎是瞬间的,因此也可根据IEC61000 - 4 - 2和IEC61000 - 4 - 4标准用于防止静电放电 (ESD) 和电快速瞬变 (EFT)。
商品特性
- 提供单向和双向两种配置
- 对所有M前缀器件的待机电流ID进行3σ批次规范筛选
- 器件经过100%浪涌测试
- 在10/1000μs时可抑制高达600瓦的瞬态电压(见图4 - 1)
- 可提供参考MIL - PRF - 19500的增强可靠性筛选。有关筛选选项的更多详细信息,请参考高可靠性非密封产品组合。(所有选项请参见部件命名法)
- 高可靠性受控器件对所有M前缀器件具有晶圆制造和组装批次可追溯性
- 所有M前缀器件的湿度分类为1级,根据IPC/JEDEC J - STD - 020F标准无需干燥包装
- 提供符合RoHS标准的版本
- 可提供用于PCB安装的表面贴装等效封装,型号为MSMBJ5.0A - MXLSMBG170Ae3(其他选项请联系Microchip)
应用领域
- 保护敏感组件,如IC、CMOS、双极型、BiCMOS、ECL、DTL、T2L等
- 防止开关瞬变和感应射频干扰
- 分别符合IEC 61000 - 4 - 2和IEC 61000 - 4 - 4标准,用于ESD和EFT保护
- 根据IEC61000 - 4 - 5标准,在42欧姆源阻抗下提供二次雷击保护
- 根据IEC61000 - 4 - 5标准,在12欧姆源阻抗下提供二次雷击保护
