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UCLAMP0301PQTNT
TVS 3V截止 5A峰值脉冲
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- 描述
- TVS二极管专为汽车应用而设计，并符合AEC-Q100 3级标准。与其他技术相比，它们具有卓越的电气特性，如较低的钳位电压和无器件性能退化。旨在保护敏感半导体组件免受静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）的损坏或干扰。采用专有EPD工艺技术构建
- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- UCLAMP0301PQTNT
- 商品编号
- C3708200
- 商品封装
- SLP1006-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.566克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3V | |
| 钳位电压 | 8V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 3.1V | |
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 18pF |
商品概述
μClamp® TVS二极管专为汽车应用而设计，并符合AEC - Q100 3级标准。与其他技术相比，它们具有卓越的电气特性，如更低的钳位电压，且器件不会退化。这些二极管旨在保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏或故障。μClamp®0301PQ采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低截止电压，并显著降低漏电流和电容。与传统的pn结器件相比，它们的实际工作电压为3.0伏，提供了更出色的保护。μClamp0301PQ采用2引脚SLP1006P2封装，尺寸为1.0×0.6×0.5毫米。引脚间距为0.65毫米，采用无铅NiPdAu镀层。每个器件可保护一条工作电压为3.0伏的线路。这使设计师在不适合使用阵列的应用中能够灵活地保护单条线路。它们可用于满足IEC 61000 - 4 - 2第4级（±15kV空气放电、±8kV接触放电）及以上的ESD抗扰度要求。小尺寸和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合汽车应用。μClamp0301PQ符合AEC - Q100 3级标准。
商品特性
- 针对数据线提供符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 4（EFT）和电缆放电事件（CDE）的瞬态保护
- 超小封装
- 保护一条数据线
- 低钳位电压
- 工作电压：3.0V
- 低漏电流
- 固态硅雪崩技术
- 符合AEC - Q100 3级标准
应用领域
- 汽车应用
- 手机及配件
- 笔记本电脑与手持设备
- 便携式仪器
- 数码相机